Lenovo 4X77A77495 32 Go TruDDR4 SDRAM Module de mémoire Bipolaire ECC 3200 MHz Non bufferisé
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Lenovo 4X77A77495 32 Go TruDDR4 SDRAM Module de mémoire Bipolaire ECC 3200 MHz Non bufferisé
Lenovo 4X77A77495
- Free Shipping
- 1 an Garantie
- Retours de 30 jours.
- Neutre en carbone
Caractéristiques clés du produit
- Compatibilité avec les serveurs Lenovo ThinkSystem : SR250 V2 7D7Q, SR250 V2 7D7R, ST250 V2 7D8F, ST250 V2 7D8G, ST50 V2
- Module de mémoire 32 Go TruDDR4 SDRAM
- Rang de mémoire double
- Taille de mémoire de 16 Go
- Vitesse de mémoire de 3200 MHz
- Vérification d'erreurs ECC
- Tension de mémoire de 1,20V
- Norme de mémoire DDR4-3200/PC4-25600
- Prise en charge des périphériques serveur
- Traitement du signal non tamponné}
heures
minutes
Informations d'expédition
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- Vitesse de mémoire de 3200 MHz
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Produits
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Lenovo
4X77A77495
Introduction
La mémoire ThinkSystem TruDDR5 et TruDDR4 offre une qualité, des performances et une fiabilité éprouvées dans l'ensemble de la gamme ThinkSystem. Nous utilisons les composants de mémoire de norme industrielle de la plus haute qualité provenant de fournisseurs de DRAM de premier plan. Seule la mémoire qui répond à ces exigences strictes est sélectionnée pour équiper les serveurs Lenovo. Elle est ensuite testée en termes de compatibilité et optimisée sur chaque serveur ThinkSystem pour maximiser la fiabilité.
De plus, les barrettes de mémoire Lenovo pour serveurs sont dotées d'une signature unique programmée en elles, ce qui permet à votre système de vérifier que la mémoire TruDDR4 est installée dans votre système. Comme la mémoire sera authentifiée, les objectifs de performance de la mémoire sont activés uniquement lorsque les barrettes de mémoire TruDDR4 sont détectées. Associées à une consommation d'énergie plus faible, ces nouvelles barrettes peuvent offrir le coût total d'exploitation le plus bas pour les centres de données.
Mémoire Haute Performance
Lenovo propose des options de mémoire haute performance et haute capacité dans les serveurs ThinkSystem.
Mémoire Persistante
Les serveurs Lenovo ThinkSystem configurés avec la mémoire persistante Intel Optane transforment la hiérarchie mémoire/stockage, permettant des insights plus rapides à partir des données. Cette technologie révolutionnaire offre une mémoire de grande capacité, rapide, abordable, avec persistance des données et capacités de cryptage avancées. Ces modules augmentent significativement la capacité de la mémoire système disponible, en conservant plus de données actives près du processeur, et en permettant une plus grande efficacité opérationnelle en traitant des ensembles de données plus importants avec plus d'instances utilisateur.
3DS RDIMMs
Pour répondre à la demande croissante de modules de mémoire serveur à haute densité, Lenovo propose des RDIMMs DDR4 3DS (3 Dimensional Stacked) qui utilisent la technologie TSV (Through Silicon Via) de notre partenariat avec un fournisseur de DRAM de premier plan. La nouvelle technologie de pile 3DS TSV permet des packages de piles de DRAM à plus haute densité avec une fréquence opérationnelle supérieure et une consommation électrique réduite. La configuration RDIMM associée aux packages de DRAM 3DS TSV présente des avantages en termes de performances et de réduction de la consommation électrique par rapport à d'autres solutions haute densité, offrant finalement le coût total de possession le plus bas pour les centres de données.
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